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Si8447DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.25
I D = 1 A
0.20
10
0.15
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
30
25
20
15
10
5
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R (DS)on *
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 ms
1
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 s
10 s, 1 s
DC
B V DSS Limited
0.01
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
5
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